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J-GLOBAL ID：201702267691323578   整理番号：17A0736314

GAAS研磨に及ぼす研磨プロセスの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Polishing Processes on the Roughness of GaAs Wafers

著者 (5件)： L UE Fei (The 46th Research Institute, CETC) ,  Wang Yunbiao (The 46th Research Institute, CETC) ,  Zhang Weicai (The 46th Research Institute, CETC) ,  Wu Yongchao (The 46th Research Institute, CETC) ,  Zhao Quan (The 46th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 34  号： 8  ページ： 745-747,786  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,化学的機械的研磨プロセスにおける抛光布,スラリー中のSIO_2の溶解度,PH値,および洗浄プロセスが,GAASの表面粗さに及ぼす影響を研究し,研磨速度を減少させるために,多段階研磨を採用すべきである。研磨剤の硬度とSIO_2の含有量は徐々に減少し,スラリーのPH値も適切な範囲にあった。オゾン水の洗浄プロセスは粗さを増加させないため、GAAS表面の表面粗さを制御する有効な方法はない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 研磨剤 ,  溶解度 ,  硬度 ,  *研磨 ,  表面粗さ ,  化学機械研磨 ,  スラリー
準シソーラス用語： オゾン水 ,  研磨速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： CMP ,  roughness ,  polishing rate ,  haze ,  cleaning technique ,  slurry ,  ozone solutionEEACC: 2550E

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  研磨 ,  プロセス ,  研究