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J-GLOBAL ID：201702267948654395   整理番号：17A0352496

第一原理計算からのWZ CuInS_2/WZ CdS界面の格子構造と電子的性質【Powered by NICT】

Lattice structures and electronic properties of WZ-CuInS_2/WZ-CdS interface from first-principles calculations

著者 (6件)： Liu Hongxia (Department of Materials Science and Engineering, Lanzhou University of Technology) ,  Tang Fuling (Department of Materials Science and Engineering, Lanzhou University of Technology) ,  Xue Hongtao (Department of Materials Science and Engineering, Lanzhou University of Technology) ,  Zhang Yu (Department of Materials Science and Engineering, Lanzhou University of Technology) ,  Cheng Yuwen (Department of Materials Science and Engineering, Lanzhou University of Technology) ,  Feng Yudong (Lanzhou Institute of Physics)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 123101-1-123101-10  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論の枠内で第一原理平面波計算を用いて,完全二層および単分子層終端WZ CIS(100)/WZ CdS(100)界面を調べた。緩和後の原子位置と結合長は二界面にわずかに変化した。WZ CIS/WZ CdS界面は安定に存在することができる,界面結合エネルギーは~0.481J/m~2(二層終端界面)ーから0.677J/m~2(単分子層終端界面)をアーク0。状態,電荷密度とBader電荷密度の解析により,界面状態はFermi準位近傍の見られなかった。単分子層終端界面の強い接着は,より電子変換と配位混合に起因し,二層末端界面よりも原子間の安定な界面結合を促進している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  *硫化カドミウム ,  *第一原理 ,  配位混合 ,  *界面 ,  平面波 ,  核間距離 ,  *格子構造 ,  表面準位 ,  結合エネルギー ,  密度汎関数法 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  二層 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理計算 ,  WZ CIS/WZ CdS界面 ,  状態の密度 ,  界面結合エネルギー ,  界面状態

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 第一原理計算 ,  CdS ,  界面 ,  格子構造 ,  電子 ,  性質