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J-GLOBAL ID：201702267968875654   整理番号：17A0443971

電子ビーム蒸着によるガラス基板上のGaNエピタクシーのためのテンプレートとしての六方晶c配向チタン膜の特性【Powered by NICT】

Characteristics of hexagonal c-oriented titanium film as the template for GaN epitaxy on glass substrate by electron beam evaporation

著者 (10件)： Yu Jiadong (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Wang Jian (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Lu Boyang (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Han Yanjun (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Luo Yi (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Sun Changzheng (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Hao Zhibiao (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Xiong Bing (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Wang Lai (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China) ,  Li Hongtao (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 160-166  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度にc軸配向したチタン(Ti)膜は,その特性に及ぼす基板温度(T_s)および蒸着速度(R_d)の影響の研究に基づく電子ビーム(EB)蒸着によりガラス基板上に堆積した。T_sは重要なパラメータであるとR_d。はEB蒸着Ti膜の結晶化と表面形態にも重要であることが分かった。R_dによる影響Ti吸着原子のマイグレーション時間はT_sにより影響された表面移動度に整合すれば,結晶方位,粒径と表面平滑性を最適化した。に加えて,Ti膜厚(T_f)も六方晶c軸配向したチタン膜を達成するための最適化範囲が存在する。厚さが300nmのとき,平均粒径および二乗平均平方根粗さはそれぞれ約250nmと1.54nmで,高度にc軸配向した(002)六方晶,平滑なTi膜は300°CおよびR_d。約0.5nm/sのT_sを実現した。個々のTi結晶粒の単結晶特性を実証した,530°Cで分子ビームエピタクシーによるTi薄膜/ガラス基板上に成長させたGaNはTi膜に同じエピタキシャル関係を持っていた。適切なT_sとR_dと電子ビーム蒸着により堆積したTi膜の適切な厚さでガラス基板上のGaNエピタクシーのテンプレートとして作用することができることを意味している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *六方晶系 ,  粒径 ,  基板温度 ,  単結晶 ,  *窒化ガリウム ,  表面拡散 ,  MBE成長 ,  最適化 ,  結晶方位 ,  *電子ビーム ,  *電子ビーム蒸着 ,  膜厚 ,  *チタン
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： チタン膜 ,  六方晶c配向(002)面 ,  電子ビーム蒸着 ,  基板温度 ,  堆積速度 ,  膜厚 ,  石英ガラス基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子ビーム蒸着 ,  ガラス基板 ,  GaN ,  エピタクシー ,  テンプレート ,  六方晶 ,  配向 ,  チタン膜