Hwang Ji Hyun について
School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea について
Kim Se-Mi について
School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea について
Woo Jeong Min について
School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea について
Hong Sung-Min について
School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea について
Jang Jae-Hyung について
School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea について
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science について
HEMT について
窒化ガリウム について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
Schottky障壁 について
窒化物 について
インジウム化合物 について
アルミニウム化合物 について
ガリウム化合物 について
電流 について
電流密度 について
相互コンダクタンス について
比率 について
漏れ電流 について
遮断周波数 について
利得 について
周波数 について
ドレイン電流 について
トランスコンダクタンス について
オンオフ比 について
カットオフ周波数 について
電流利得 について
発振周波数 について
GaN について
heterostructures について
high electron mobility transistors について
InAlGaN について
Schottky barriers について
トランジスタ について
ショットキー障壁 について
GaN について
HEMT について