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J-GLOBAL ID：201702268727710446   整理番号：17A0214157

無制限耐久性に対する金属ライナを持つA LDベース閉じ込められたPCM【Powered by NICT】

ALD-based confined PCM with a metallic liner toward unlimited endurance

著者 (14件)： Kim W. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  BrightSky M. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Masuda T. (ULVAC, Inc., Shizuoka, Japan) ,  Sosa N. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Kim S. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Bruce R. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Carta F. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Fraczak G. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Cheng H. Y. (Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Ray A. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Zhu Y. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Lung H. L. (Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Suu K. (ULVAC, Inc., Shizuoka, Japan) ,  Lam C. (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 4.2.1-4.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い金属ライナを持つA LDベース閉じ込め相変化メモリ(PCM)[1]の優れた耐久特性の詳細な解析を初めて示した。実験結果は,適切な金属ライナと閉じ込められた細孔セル構造の両方が信頼性利点に必要であることを確認した。金属ライナを有するこの閉じ込められたPCMは,古典的な耐久性破壊機構の影響を受けないことが分かった。ボイドフリー閉じ込められたPCMはスタックSET破壊につながらないことを安定化元素偏析を持つ新しい記録耐久性(2×10~12サイクル)を生じた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *ライナ ,  偏析 ,  細孔 ,  *耐久性 ,  破壊機構
準シソーラス用語： 相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 制限 ,  ライナ ,  LD ,  PCM