ZnO薄膜の改善された光ルミネセンス発光とガスセンサ特性【Powered by NICT】

Berger D.; de Moura A.P.; Oliveira L.H.; Bastos W.B.; La Porta F.A.; Rosa I.L.V.; Li M.S.; Tebcherani S.M.; Longo E.; Varela J.A.

文献

J-GLOBAL ID：201702268772009718 整理番号：17A0315254

ZnO薄膜の改善された光ルミネセンス発光とガスセンサ特性【Powered by NICT】

Improved photoluminescence emission and gas sensor properties of ZnO thin films

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巻： 42 号： 12 ページ： 13555-13561 発行年： 2016年09月
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,330°Cで32時間処理された両方のZnO薄膜の圧力支援(1.72MPa)対大気圧熱アニーリングの影響の比較研究を報告した。これらの薄膜の構造的,形態的,光学的およびガスセンサ特性に及ぼす圧力の影響を調べた。結果は[002]または[101]面におけるウルツ鉱型構造ZnO薄膜の部分的優先配向は,熱アニーリング条件(すなわち,圧力支援または大気圧)に基づいて誘導されることを示した。UV-vis吸収測定によると,両方のZnO薄膜の光学バンドギャップ値の変化は無視できることを明らかにした。,ZnO薄膜は四面体[ZnO_4]クラスタの異なる歪を示し,両試料における深い準位と浅い準位欠陥の異なる濃度に相当することを推定した。この違いはinterface/bulk表面の変化,それは圧力支援熱アニールした膜の増強された光学的およびガスセンサ特性の原因である可能性を誘導した。さらに,ZnO膜の圧力支援熱アニールが二の因子によるH_2感度を改善した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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酸化物薄膜 , セラミック・磁器の性質

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