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J-GLOBAL ID：201702269091498961   整理番号：17A0885704

低コストフレキシブル大面積エレクトロニクスのための薄膜トランジスタと回路シミュレーションのための普遍的コンパクトモデル【Powered by NICT】

Universal Compact Model for Thin-Film Transistors and Circuit Simulation for Low-Cost Flexible Large Area Electronics

著者 (11件)： Zhao Jiaqing (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Yu Pengfei (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Qiu Shi (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Zhao Qinghang (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Feng Linrun (NeuDrive Ltd., Macclesfield, U.K.) ,  Ogier Simon (NeuDrive Ltd., Macclesfield, U.K.) ,  Tang Wei (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Fan Jiali (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Liu Wenjiang (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Liu Yongpan (Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Guo Xiaojun (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory of TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2030-2037  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化amorphoussilicon,amorphousmetal酸化,andsmallmolecule及び高分子有機半導体の薄膜トランジスタ(TFT)は,すべての大面積フレキシブルエレクトロニクス応用が可能なデバイス候補として有望であろう。普遍的コンパクトdcモデルはこれらの薄膜トランジスタ(TFT)のための物理的および数学的アプローチの間の適切なバランスを開発した。異なる材料と素子構造におけるTFT技術の広い範囲に適用可能であるが,異なるTFTの素子性能ベンチマーキングのための使用される一般的な重要なパラメータを得ることができる。このモデルに基づいて,ユーザフレンドリーなツールは,便利なパラメータ抽出のための対話型方法を提供するために開発した。モデルはしきい値より上の領域へのオフ状態とサブ閾値領域から連続的で,SPICE回路シミュレーションで使用される場合,収束問題を回避した。最後に,検証のために,実験測定とverywell一致シミュレーション結果examplewith TFT回路をシミュレートするためにVerilog-Aを用いたSPICE回路シミュレータに実装した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *電子技術 ,  *シミュレーション ,  素子構造 ,  *回路シミュレーション ,  有機半導体 ,  水素化
準シソーラス用語： 回路シミュレータ ,  Verilog ,  サブ閾値 ,  パラメータ抽出 ,  ベンチマーキング ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  *コンパクトモデル ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  エレクトロニクス ,  薄膜トランジスタ ,  回路シミュレーション ,  コンパクトモデル