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J-GLOBAL ID：201702269276186653   整理番号：17A0013380

窒化ガリウム(GaN)/強誘電体薄膜MEMSおよび圧力センサ用のSiC,サファイア,ガラスおよびセラミックへのレーザアブレーションによる膜の製造

Manufacturing of membranes by laser ablation in SiC, sapphire, glass and ceramic for GaN/ferroelectric thin film MEMS and pressure sensors

著者 (6件)： Zehetner J. (Research Centre for Microtechnology, University of Applied Sciences, Dornbirn, Austria) ,  Kraus S. (Department of Telecommunication Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague, Prague 6, Czech Republic) ,  Lucki M. (Department of Telecommunication Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague, Prague 6, Czech Republic) ,  Vanko G. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia) ,  Dzuba J. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia) ,  Lalinsky T. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 22  号： 7  ページ： 1883-1892  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT),ショットキーダイオードまたは抵抗が,極限環境で動作する機械的または化学的センサの検出器として提案されてきた。このようなMEMSセンサの検出特性の向上には,適切なダイヤフラム,基板材料から突出するカンチレバー等の形成が必要である。AlGaN/GaN系MEMS圧力センサの感度は,メンブレン厚により変更させることが可能である。SiCを基板としてエピタキシャル成長したAlGaN/GaNヘテロ構造層にメンブレンの微細機械加工のためレーザアブレーション法を適用した。フェムト秒レーザ(520nm)アブレーションにより,バルク3C-SiC,ホウケイ酸ガラス,サファイアおよびAl₂O₃セラミック基板においてもマイクロメカニカル・メンブレン構造が形成でき,このプロセスの実現可能性が確認できた。裏面の2μm厚のGaN層に損傷を与えることなく350μm厚の4H-SiC基板に深さ275μm,直径1000~3000μmの非貫通のホールアレイを作製した。実験により,アブレーションされたメンブレンのピンホール欠陥は,レーザの偏光に関連したリプル構造により影響を受けることが判明した。レーザ誘起に起因する周期的な表面構造(LIPSS)によるピンホールの形成を阻止するアブレーション技術を開発した。Copyright 2016 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *誘電体薄膜 ,  *MEMS ,  *圧力センサ ,  *炭化ケイ素 ,  *サファイア ,  *ガラス ,  *セラミック ,  *レーザアブレーション ,  *製膜 ,  HEMT ,  センサ ,  アルミニウム化合物 ,  ダイヤフラム ,  片持梁 ,  エピタクシー ,  膜 ,  ピンホール ,  *強誘電体薄膜 ,  MEMSセンサ ,  レーザ誘起 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 窒化ガリウムHEMT ,  AlGaN/GaN

分類 (2件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (10件)： 窒化ガリウム ,  GaN ,  強誘電体薄膜 ,  MEMS ,  圧力センサ ,  SiC ,  サファイア ,  ガラス ,  セラミック ,  レーザアブレーション