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J-GLOBAL ID：201702269362499830   整理番号：17A0548713

局所的なフォノン分布を考慮した擬Self-consistentモンテカルロ法によるナノスケールGaN-HEMTの高周波特性解析

著者 (2件)： 伊藤直人 (慶応大 理工) ,  粟野祐二 (慶応大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-F206-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,  *モンテカルロ法 ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  輸送現象 ,  *フォノン ,  熱伝導 ,  加熱 ,  *周波数特性
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  フォノン輸送 ,  局所加熱 ,  高周波特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (8件)： フォノン ,  分布 ,  モンテカルロ法 ,  ナノスケール ,  GaN ,  HEMT ,  高周波特性 ,  解析