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J-GLOBAL ID:201702269518277480   整理番号:17A0388725

局所欠陥と電荷集団と関連した単分子層WS_2の個々の励起子複合体の近接場スペクトルマッピング【Powered by NICT】

Near-field spectral mapping of individual exciton complexes of monolayer WS2 correlated with local defects and charge population
著者 (7件):
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巻:号:ページ: 2272-2278  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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励起子遷移遷移金属二カルコゲン化物単分子層(1L TMDs)の光学的性質の大部分の原因である。光学的および構造的特性の詳細な研究から,局所構造欠陥と電荷分布の存在は1L TMDの励起子発光に重要な影響を及ぼすことを示した。しかし,試料と実験条件の大きな変動のために,局所構造欠陥と電荷分布の影響を受け励起子発光の正確な機構は明確に理解されていない。本研究では近接場走査光学イメージングと分光法を用いて,直接~70nm空間分解能でCVD成長させた単分子層二硫化タングステン(1L WS_2)における励起子,トリオンと欠陥束縛励起子の空間的およびスペクトル分解発光プロフィルを可視化した。励起子発光が空間的に均一なトリオンと欠陥に束縛された励起子の発光は欠陥としわのような構造特徴の存在によって強く変調されることを見出した。も光励起増加に及ぼす局所電荷蓄積とトリオン形成の間の強い相関を観測している。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 

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