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J-GLOBAL ID：201702269538689524   整理番号：17A0408150

マグネトロンスパッタリング蒸着によるSb_2Se_3ナノロッドの容易な調製と改良された光電性能【Powered by NICT】

Facile preparation and enhanced photoelectrical performance of Sb₂Se₃ nano-rods by magnetron sputtering deposition

著者 (11件)： Liang Guang-Xing (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Liang Guang-Xing (Laboratory of Glasses and Ceramics, Institute of Chemical Science UMR CNRS 6226, University of Rennes 1, 35042 Rennes, France) ,  Zhang Xiang-Hua (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Zhang Xiang-Hua (Laboratory of Glasses and Ceramics, Institute of Chemical Science UMR CNRS 6226, University of Rennes 1, 35042 Rennes, France) ,  Ma Hong-Li (Laboratory of Glasses and Ceramics, Institute of Chemical Science UMR CNRS 6226, University of Rennes 1, 35042 Rennes, France) ,  Hu Ju-Guang (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Fan Bo (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Luo Zhong-Kuan (College of Chemistry and Chemical Engineering, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Zheng Zhuang-Hao (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Luo Jing-Ting (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China) ,  Fan Ping (Institute of Thin Film Physics and Applications, College of Physics and Energy, Shenzhen University, 518060 Shenzhen, China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 160  ページ： 257-262  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,375°Cの基板温度でマグネトロンスパッタリングSb_2Se_3合金ターゲットによるSb_2Se_3ナノロッド膜を作製するための簡単で効果的な方法を提案した。熱的に誘起された規則的な形状と垂直に配列したナノロッドは(221)の優先結晶方位とSb~3+とSe~2 の安定な原子価を持つ良く結晶化した構造を示した。得られた薄膜は1.32eVのバンドギャップ,可視領域で高い吸収係数10~5cm~ 1であった。光電気化学測定はSb_2Se_3ナノロッドは優れた光応答性を持つp型半導体であることを示した。吸収体としてSb_2Se_3ナノロッド膜を用いた太陽電池を実証し,2.11%の有望な電力変換効率を有する明瞭な光起電力効果を達成できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *ナノロッド ,  光起電力効果 ,  吸収係数 ,  *スパッタリング ,  光電気化学 ,  結晶方位 ,  *マグネトロン ,  太陽電池 ,  バンドギャップ ,  基板温度 ,  *スパッタ蒸着
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  光応答 ,  *光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sb_2Se_3 ,  ナノrods ,  スパッタリング ,  カルコゲン化物

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  ナノロッド ,  調製 ,  光電