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J-GLOBAL ID：201702269851344633   整理番号：17A0855756

MgB_2相の臨界温度と臨界電流に及ぼすC,RE_2O_3酸化物を用いた二重ドーピングの役割【Powered by NICT】

Role of double doping with C and RE₂O₃ oxides on the critical temperature and critical current of MgB₂ phase

著者 (8件)： Gajda G. (International Laboratory of HMF and LT, Gajowicka 95, 53-421, Wroclaw, Poland) ,  Morawski A. (Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, 01-142, Warszawa, Poland) ,  Diduszko R. (Industrial Institute of Electronics, Dluga 44, 00-241, Warszawa, Poland) ,  Cetner T. (Institute of High Pressure Physics PAS, Sokolowska 29/37, 01-142, Warszawa, Poland) ,  Hossain M.S.A. (University of Wollongong and Institute for Superconducting and Electronic Materials, Wollongong, New South Wales, 2522, Australia) ,  Gruszka K. (Czestochowa University of Technology, Faculty of Production Engineering and Materials Technology, Institute of Physics, Armii Krajowej 19, 42-200, Czestochowa, Poland) ,  Gajda D. (International Laboratory of HMF and LT, Gajowicka 95, 53-421, Wroclaw, Poland) ,  Przyslupski P. (Institute of Physics PAS, 02-668, Warszawa, Al. Lotnikow 32/46, Poland)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 709  ページ： 473-480  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C,RE_2O_3酸化物(RE=Ce, Nd),及びC及びRE_2O_3oxidesをドープしたMgB_2一連の試料をアルゴンガス下での高圧1GPaで熱間静水圧プレス法により調製した。X線回折と磁化測定に基づいて,RE_2O_3はMgB_2に取り込まれないことが分かった。二次REB_4相は合成後に存在した。臨界温度(T)の減少はRE_2O_3ドーピング後に観察された。CとRE_2O_3ドープMgB_2のTは3Kで減少した。ドーピングは純粋なMgB_2相と比較して反磁性応答を減少させた。最高臨界電流密度(J_c)はバルク材料の4.2K及び0.5Tで3.4×10~5cm~2であった,Nd_2O_3ドープ試料の不可逆磁場はT=30で高磁場に位置していた。結果はピン止め中心の内部の結晶粒は4.2Kから25KまでのJ_Cを増加させ,30KでJ_Cを減少させることを示した。一方,粒子(析出物)の間のピン止め中心は30KでJ_Cを増加させ,中・高磁場中で4.2Kから25KまでJ_Cを減少させた。著者らの研究は,炭素でカプセル化されたホウ素は点ピン止め中心を生成することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ピン止め ,  HIP【ホットプレス】 ,  ホウ素 ,  臨界電流密度 ,  結晶粒 ,  *臨界温度 ,  *ドーピング ,  析出物 ,  磁化特性測定 ,  *臨界電流 ,  強磁場 ,  高圧 ,  反磁性 ,  *酸化物
準シソーラス用語： 不可逆磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MgB_2材料 ,  Cドーピング ,  CeとNdドーピング ,  臨界電流密度 ,  ピン止め中心

分類 (2件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  超伝導材料  (BM04041W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 臨界温度 ,  臨界電流 ,  酸化物 ,  ドーピング ,  役割