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J-GLOBAL ID：201702269856933694   整理番号：17A0355603

シリコンバイポーラトランジスタのELDRS効果機構の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Progress in ELDRS Mechanism of Silicon Bipolar Devices

著者 (3件)： Zhang Xiuyu (CAEP Institute of Electronic Engineering) ,  Dai Gang (CAEP Institute of Electronic Engineering) ,  Song Yu (CAEP Institute of Electronic Engineering)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 6  ページ： 481-488  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低線量率照射損傷増強効果(ELDRS)の発見は国際宇宙分野に注目されている。本論文では、両極性デバイスの照射応答について紹介し、1991年に双極デバイスがELDRS効果を有することを発見した20年以来のELDRS効果のメカニズムに関する研究の主な成果をまとめ、今後の研究方向を分析した。研究によると、メカニズム研究は主にSI/SIO_2界面に焦点をあて、プロセスと界面特性の関係を確立することは、ELDRS効果を抑制するために極めて参考価値がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  宇宙空間 ,  *照射損傷
準シソーラス用語： 両極性 ,  低線量率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： bipolar devices ,  enhanced low dose rate sensitivities(ELDRS) ,  interface ,  mechanism models ,  technologies

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  バイポーラトランジスタ ,  研究 ,  進展