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J-GLOBAL ID：201702269928693245   整理番号：17A0400171

一硫化スズの電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure of tin monosulfide

著者 (3件)： Bletskan D.I. (Department of Physics, Uzhgorod National University, 54 Voloshyn Str., 88000 Uzhgorod, Ukraine) ,  Bletskan M.M. (Department of Physics, Uzhgorod National University, 54 Voloshyn Str., 88000 Uzhgorod, Ukraine) ,  Glukhov K.E. (Department of Physics, Uzhgorod National University, 54 Voloshyn Str., 88000 Uzhgorod, Ukraine)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 245  ページ： 34-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元および二次元一硫化スズのバンド構造は,LDAとLDA+U近似における密度汎関数法により計算した。空間群2時間16-Pcmnの斜方晶系構造で結晶化したSnSの電子バンド構造の群論的解析を行い,伝導帯の底が見出される価電子帯の波動関数の対称性である。異なる入射光偏光での直接的および間接的な光学遷移の選択則を決定した。三次元と二次元のSnS構造のエネルギー状態の群論的解析はDavydov分裂を含むバンド構造の形成を説明した。総状態密度の計算は,既知の実験的XPSとUPSスペクトルと比較して,それらの主な特徴の帰属を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空間群 ,  群論 ,  状態密度 ,  対称性 ,  斜方晶系 ,  三次元 ,  選択則 ,  伝導バンド ,  二次元 ,  価電子バンド ,  密度汎関数法 ,  *硫化 ,  バンド構造
準シソーラス用語： 光学遷移 ,  *硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： すず一硫化 ,  密度汎関数理論 ,  電子構造 ,  状態の密度

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 硫化スズ ,  電子構造