文献

J-GLOBAL ID：201702269938025224   整理番号：17A0214338

深宇宙ミッションにおけるナノ衛星のための持続可能なエレクトロニクス【Powered by NICT】

Sustainable electronics for nano-spacecraft in deep space missions

著者 (11件)： Moon Dong-Il (Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA, USA) ,  Park Jun-Young (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea) ,  Han Jin-Woo (Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA, USA) ,  Jeon Gwang-Jae (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea) ,  Kim Jee-Yeon (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea) ,  Moon John (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea) ,  Seol Myeong-Lok (Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA, USA) ,  Kim Choong Ki (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea) ,  Lee Hee Chul (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea) ,  Meyyappan M. (Center for Nanotechnology, NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA, USA) ,  Choi Yang-Kyu (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 31.8.1-31.8.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンザフライ自己修復装置は空間エレクトロニクスの持続可能性のための実験的に実証した。高温,ゲート電極中のJoule加熱により生成される,電離放射線,ホットキャリア,トンネリングストレスによって誘起された損傷のオンチップアニーリングを提供する。自己修復プロセスを用いて,高度にスケールされたシリコンナノワイヤゲートオールアラウンド電界効果トランジスタ論理トランジスタ,フローティングボディDRAM,電荷トラップフラッシュメモリにおける改善された長期信頼性を示した。熱的に隔離されたゲート構造は,自己修復効果を高めるために提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  抵抗加熱 ,  トランジスタ ,  電離放射線 ,  DRAM ,  高温 ,  ホットキャリア ,  *電子技術 ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： 長期信頼性 ,  電荷捕獲 ,  ゲート電極 ,  持続可能性 ,  自己修復 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 深宇宙 ,  ミッション ,  ナノ衛星 ,  エレクトロニクス