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J-GLOBAL ID：201702269946163373   整理番号：17A0450116

NEXAFS,RamanおよびTEMによる70keVのHeイオンを照射したCVD SiCの損傷挙動の研究【Powered by NICT】

Investigation of the damage behavior in CVD SiC irradiated with 70keV He ions by NEXAFS, Raman and TEM

著者 (7件)： Liu Min (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Yang Xinmei (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Gao Yantao (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Liu Renduo (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Huang Hefei (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Zhou Xingtai (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China) ,  Sham T.K. (Department of Chemistry and Soochow-Western Centre for Synchrotron Radiation Research, University of Western Ontario, London, Ontario, N6A5B7, Canada)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 4  ページ： 1253-1259  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)SiCは,室温で70keVのHeイオンを照射した。損傷挙動を近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)分光法,Raman分光法および透過型電子顕微鏡(TEM)で調べた。SiK端でのNEXAFSスペクトルは,結晶質ピークの強度と1852eVでのピークの消失近傍の明らかな減少を示し,照射によって生じたSi空格子点の数の増加に起因する結晶不規則性の増加を示唆した。Ramanスペクトルより,結晶性Si-C結合の分解と照射中の等核(Si-SiおよびSi-CC)結合の形成を示した。TEMの結果は線量を増加させると完全非晶質化に僅かな障害からの遷移を示した。非晶質化への放射線量(DTA)は約1dpaであると推定した。もCVD SiC中の積層欠陥の高い密度は単結晶β-SiCと比較して非晶質化耐性の増強に寄与する可能性があることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  *ヘリウム ,  吸収端 ,  アモルファス化 ,  Ramanスペクトル ,  *XAFS ,  積層欠陥 ,  結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  結晶度 ,  Raman分光法 ,  単結晶 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 不規則性 ,  *NEXAFS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： NEXAFS ,  Raman ,  照射 ,  Amorphization ,  積層欠陥

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (9件)： NEXAFS ,  TEM ,  He ,  イオン ,  CVD ,  SiC ,  損傷 ,  挙動 ,  研究