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J-GLOBAL ID：201702269983502954   整理番号：17A0329129

MEMS WLSCPのための成形プロセスの設計と最適化【Powered by NICT】

Design and optimization of molding process for MEMS WLSCP

著者 (6件)： Lin Bu (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Zhi Ding Mian (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Peng Ding Zhi (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Kee Peter Chang Hyun (Institute of Microelectronics, Agency for Science, Technology and Research, 117685, Singapore) ,  Chen Zhaohui (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Jung Boo Yang (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 370-375  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,MEMSウエハレベルパッケージング溶液中の成形プロセスを調べることである。このアプローチでは,費用対効果に優れた完全ウエハレベルパッケージング解を達成するためにMEMS容量センサパッケージングを完成するために従来の成形プロセスを採用した。共晶接合面積を近傍で発生した任意のボイドはパッケージの信頼性を損なうであろうので,確保ボイドフリー成形することが重要である。成形プロセスは空洞形成方法,すなわち,DRIE(Deep Reactive Ion Etching)と部分的ダイシングの組合せ,あるいは完全なSi DRIE法の観点から検討した。SiウエハをSiピラーを露出するためのウエハ厚さ方向にエッチングされた完全にまたは部分的にできた。部分エッチング法により,Siピラーの背面は全体として接続されている。ダイシング線は金型供給のための門脈として作用する。この方法はプロセスフローに合併したビットであるが,Siピラーの裏側にSiの大きなブロックは成形プロセスにおける高圧力に抵抗する保護として使用できた。しかし,シミュレーション結果は,金型ボイド位置はダイシングライン位置に依存していることを示した。シリコンDRIEを用いた完全エッチング法により,広い空地は金型充填目的のために達成でき,ピラー形状と支持構造をシミュレーション結果により最適化した。シミュレーション結果は,全候補成形化合物および付加層からの支持構造のないボイドフリー充填を示した。,圧縮成形プロセス8’パターン形成したSiウエハ中の柱の構造的ロバスト性を確認するために支持構造を有する設計を成形した。結果は破壊された柱は,ウエハを横切る自由充填をボイドと同様に認識されないことを承認した。は不要であることが証明された機械的支持された部分的ダイシングを用いた方法は,実際の試験試料における放棄された。成形シミュレーションの結果に導かれて,試験試料を作製し,静電容量センサのためのコスト効率の良いMEMSウエハレベルパッケージングのための新しく提案したプロセスプラットフォームを確認した。EMC(エポキシ成形化合物)から五材料SMC(シリコーン成形化合物)はボイドと線掃引に関して評価した。結果は,SMCは不適当な候補であることを示した。EMC材料を実験により評価し,結果はボイドはCSAM(共焦点走査音響顕微鏡)による認識されてないことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エッチング ,  *最適化 ,  共晶 ,  圧縮成形 ,  高圧 ,  *MEMS ,  パターン形成 ,  ケイ素 ,  シミュレーション ,  ロバスト性
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  ダイシング ,  静電容量センサ ,  費用対効果 ,  ウエハレベルパッケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  成形プロセス ,  設計 ,  最適化