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J-GLOBAL ID：201702270033612139   整理番号：17A0329139

TSVのためのクリーンな統合:乾式と湿式法とその電気的評価の比較【Powered by NICT】

Integrated clean for TSV: Comparison between dry process and wet processes and their electrical qualification

著者 (8件)： Suhard S. (Imec, Kapeldreef 75 3001 Heverlee Belgium) ,  Li Y. (Imec, Kapeldreef 75 3001 Heverlee Belgium) ,  Iwasaki A. (SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. Japan) ,  Van Huylenbroeck S. (Imec, Kapeldreef 75 3001 Heverlee Belgium) ,  Draper S. (Akrion systems, USA) ,  Mizutani A. (Fujifilm Electrical Materials Europe N.V., Belgium) ,  Dory T. (Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc) ,  Holsteyns F. (Imec, Kapeldreef 75 3001 Heverlee Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 441-444  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,300mm単一ウエハ工具のBoschプロセスにより作製したシリコン貫通ビアのための統合された湿式プロセス(フォトレジスト剥離およびポリマ除去)を検討した。乾燥及び湿潤後エッチング残渣プロセス,物理的力(メガソニックまたは噴霧により誘起された)の影響と湿式処理の性質の間の比較を与えた。最後に乾式又は湿式プロセス後にTSVの清浄度を電気的に適格である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エッチング ,  フォトレジスト ,  噴霧 ,  *湿式法 ,  湿潤 ,  清浄度
準シソーラス用語： 湿式処理 ,  湿式プロセス ,  シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： TSV ,  統合 ,  湿式法 ,  評価