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J-GLOBAL ID：201702270098143122   整理番号：17A0143871

0.15μm GaNH EMT技術を用いた60%PAE,30W Xバンド33%,100W Kuバンド電力増幅器【Powered by NICT】

60% PAE, 30W X-band and 33% PAE, 100W Ku-band PAs utilizing 0.15 μm GaN HEMT technology

著者 (12件)： Torii Takuma (Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center, 5-1-1 Ofuna, Kamakura, Kanagawa, 247-8501, Japan) ,  Imai Shohei (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Maehara Hiroaki (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Miyashita Miyo (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Kunii Tetsuo (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Morimoto Takuo (Mitsubishi Electric Corporation, Communication System Center, 8-1-1 Tsukaguchi - Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, Japan) ,  Inoue Akira (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Ohta Akira (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Katayama Hideaki (Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Device Works, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Yunoue Norihiro (Mitsubishi Electric Corporation, Communication System Center, 8-1-1 Tsukaguchi - Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, Japan) ,  Yamanaka Koji (Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center, 5-1-1 Ofuna, Kamakura, Kanagawa, 247-8501, Japan) ,  Fukumoto Hiroshi (Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center, 5-1-1 Ofuna, Kamakura, Kanagawa, 247-8501, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 568-571  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.15μm GaNH EMT技術を用いたXおよびKuバンドで二種類の高効率電力増幅器(PA)を提示した。カットオフ周波数40GHz以上の0.15μm GaNH EMT技術は,より高い周波数で高RF性能を実現することができる。PAのより良い効率を提供するために,第二高調波反射回路はGaNH EMTチップの入力と出力で採用されている。測定結果は,30WのXバンドGaNH EMT PA達成電力付加効率(PAE)58.6%,出力電力(P_out),および33%のKu帯GaNH EMT PA得られたPAEとCW動作で100WのP_outを示した。著者らの知る限り,KuバンドPAのCW動作下でのXバンドPAとP_outのPAE最新技術である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  周波数 ,  電力付加効率
準シソーラス用語： 出力電力 ,  *Xバンド ,  第二高調波 ,  高効率 ,  *Kuバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： EMT ,  Xバンド ,  Kuバンド ,  電力増幅器