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J-GLOBAL ID：201702270123011831   整理番号：17A0164307

硅基Zhe薄膜の赤外吸収スペクトルと電気特性を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Infrared Absorption Spectra and Electrical Properties of Si Substrate Ge Thin Films

著者 (5件)： Wen Shumin (College of Science,Inner Mongolia University of Technology) ,  Zhao Chunwang (College of Science,Inner Mongolia University of Technology) ,  Wang Xijun (Wulanchabu Radio-TV) ,  Li Jijun (College of Science,Inner Mongolia University of Technology) ,  Hou Qingyu (College of Science,Inner Mongolia University of Technology)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 10  ページ： 1177-1181  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 硅基Zhe薄膜の品質,赤外吸収,透過率,および電気的性質に及ぼすアニーリングの影響を理解するために,GE薄膜を,二段階法によってシリコン基板上に成長させた。成長後の試料を2つの部分に分け,その一部をアニーリング処理した。高分解能X線回折計を用いて,(400)結晶面のX線回折曲線を測定し,FOURIER変換赤外分光分析器により赤外透過率と吸収スペクトルを測定した。アニーリング前後の試料のキャリア濃度,移動度,電気抵抗率,電気伝導率およびHALL係数を測定した。その結果,アニーリング後の膜の品質は明らかに改善された。アニーリング後に,大部分の領域の吸収は増加し,透過率は明らかに減少し,615~3CM(-1)の範囲での透過率はアニール前よりも20%以上減少した。アニーリング後のバルクキャリア濃度はアニーリング前の23%まで増大した。26倍,移動度はアニーリング前の27%に増大した。82倍であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過率 ,  電気抵抗率 ,  *吸収スペクトル ,  電気伝導率 ,  結晶面 ,  品質 ,  キャリア密度 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  移動度 ,  *赤外吸収スペクトル
準シソーラス用語： 高分解能X線回折 ,  シリコンウエハ ,  *赤外吸収 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： silicon based germanium thin film ,  infrared absorption spectrum ,  carrier concentration ,  mobility ,  conductivity

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  赤外吸収スペクトル ,  電気特性