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J-GLOBAL ID:201702270361556320   整理番号:17A0754158

高出力パルスマグネトロンスパッタリング(HPPMS)により作製したTiN膜の性質に及ぼす磁場強度と蒸着圧力の影響【Powered by NICT】

Effects of magnetic field strength and deposition pressure on the properties of TiN films produced by high power pulsed magnetron sputtering (HPPMS)
著者 (10件):
資料名:
巻: 315  ページ: 258-267  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高出力パルスマグネトロンスパッタリング(HPPMS)により堆積した窒化チタン(TiN)膜の欠点は,低い蒸着速度(従来のマグネトロンスパッタリングと比較して)と高い残留応力である。多くの方法がこれらの問題に対処するために使用されてきた。本研究では,TiN膜を種々の磁場強度B(40と115mT)と堆積圧力P(0.2年,1.0年,および2.0Pa)でHPPMSにより堆積した。膜堆積速度,残留応力,及び機械的性質に及ぼすBとPの影響も調べた。HPPMS放電におけるプラズマを発光分光法で診断した。より高いB(115mT)でターゲットの周りの強い磁気閉込めと逆引力のために,P_は2.0Paであった場合,より低いB(40mT)は,基板のTi~+/Ti比を有意に増加させた,~3倍,および堆積速度の大きな増加,特に~5.5倍した。低B(40mT)で基板の前における高Ti~+/Ti比は,イオン衝撃の程度を増加させ,TiN膜の優先と強い(111)配向,膜硬度,およびより優れた付着強度をもたらした。さらに,P_の増加はより衝突と金属原子とイオンの強い散乱,残留応力(8.5から0.8GPaまでの40mT B_)の急激な減少とTiN膜の付着強さの有意な増加を引き起こした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  セラミック・磁器の性質 

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