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J-GLOBAL ID：201702270482030794   整理番号：17A0407672

欠陥双極子の効果に基づくW/Cr共ドープBi_4Ti_3O_12セラミックスの誘電異常と強誘電性非対称性【Powered by NICT】

Dielectric abnormality and ferroelectric asymmetry in W/Cr co-doped Bi₄Ti₃O₁₂ ceramics based on the effect of defect dipoles

著者 (7件)： Chen Yu (School of Mechanical Engineering, Chengdu University, Chengdu, 610106, China) ,  Xie Shaoxiong (College of Architecture and Environment, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Wang Haomin (College of Aeronautics and Astronautics, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Chen Qiang (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Wang Qingyuan (School of Mechanical Engineering, Chengdu University, Chengdu, 610106, China) ,  Zhu Jianguo (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Guan Zhongwei (School of Engineering, University of Liverpool, Liverpool, L69 3GQ, UK)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696  ページ： 746-753  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,種類の異なる添加量Cr_2O_3:Bi_4Ti_2 0.95W_0 0.05O_12 0.05+y wt.%Cr_2O_3(BITW yCr, y=0 0.4)のW/Cr共ドープBi_4Ti_3O_12セラミックを通常のセラミック法により調製した。BITW yCrセラミックスのXRD解析から,斜方晶Bi_4Ti_3O_12の形成は,第二相として少ない立方晶Bi_2Ti_2O_7の出力を伴っていたことを明らかにした。試料の誘電応答曲線では,緩和特性をもつ誘電体「予感」は,低周波数で約500°Cで発生する二異常変化は,Curie温度で誘電ピークは,その強度は周波数の増加と共に減少するとして明らかな分散性を示した。ここで,欠陥双極子の形成過程と作用機構を記述するための物理的モードを確立した。BITW yCrセラミックの擬ペロブスカイト層では,陰性の高いカチオン欠陥が陽性酸素空孔と関連する,電気欠陥双極子を形成する傾向がある。外部電場による駆動欠陥双極子の配向分極が高温で酸素空孔の活性化運動に基づいた誘電緩和過程に寄与し,イオン分極の不能に加えて,固有双極子の短距離相互作用に及ぼす欠陥双極子の干渉効果は,誘電分散のためのもう一つの理由であろう。一方,reorientated欠陥双極子によって構築された内部バイアス場は強誘電体のヒステリシスループの非対称性を引き起こすと考えられており,Cr_2O_3(y)の添加はBITW yCrセラミックの内部バイアス場を増加することが分かった。さらに,試料の誘電定数の温度係数を減少させることが観察された。最後に,低い保磁力と大きな自発分極から利益を得,得られた大きな残留分極(P_R=17μC/cm~2)は0.2で豊富なのための高い圧電気(d_33=28pC/N)に寄与する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Curie温度 ,  X線回折 ,  誘電率 ,  *双極子 ,  残留分極 ,  バイアス ,  圧電気 ,  *強誘電性 ,  強誘電体 ,  誘電緩和 ,  *非対称性 ,  自発分極 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *欠陥双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi_4Ti_3O_12セラミック ,  W/Crの同時ドーピング ,  欠陥双極子 ,  配向分極 ,  内部バイアス場

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥双極子 ,  Cr ,  ドープ ,  セラミックス ,  強誘電性 ,  非対称性