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J-GLOBAL ID：201702270794558527   整理番号：17A0404015

アニーリング温度変調光学的,電気的性質およびゾル-ゲル処理高k HfAlO_xゲート誘電体の漏れ電流輸送機構【Powered by NICT】

Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlO_x gate dielectrics

著者 (11件)： Jin P. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  He G. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Fang Z.B. (Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, China) ,  Liu M. (Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Xiao D.Q. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Gao J. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Jiang S.S. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Li W.D. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Sun Z.Q. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Zhang M. (School of physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China) ,  Zhang M. (Co-operative Innovation Research Center for Weak Signal-Detecting Materials and Devices Integration, Anhui University, Hefei 230601, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 3  ページ： 3101-3106  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法によるn型Siと石英基板上にHfAlO_xゲート誘電体膜の蒸着を行い,アニーリング温度の関数として堆積したままHfAlO_x薄膜の光学的,電気的特性を調べた。アニーリング温度に関連したHfAlO_x薄膜の光学的性質を紫外-可視分光法(UV-vis)および分光偏光解析法(SE)により調べた。UV-visの測定により,すべてのHfAlO_x試料の平均透過率はそれらの均一な組成のために約85%であった。またバンドギャップの増加は,アニーリング温度の増加と共に観察された。さらに,屈折率(n)と焼なまし温度の増加とともに密度の増加はSE測定により得られた。Al/Si/HfAlO_χ/Alコンデンサに基づいた電気的性質を高周波容量-電圧(C V)と漏れ電流密度-電圧(J V)特性を用いて解析した。結果は,400°Cでアニールした試料は,良好な電気特性を示し,12.93の大きな誘電定数と1Vのゲート電圧で3.75×10~ 7cm~2の低い漏れ電流密度を示すことを示した。さらに,アニーリング温度の関数として漏れ電流伝導機構を系統的に検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 屈折率 ,  *温度制御 ,  *漏れ電流 ,  透過率 ,  *ゲル ,  *ゾル-ゲル法 ,  誘電率 ,  バンドギャップ ,  *焼なまし ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  漏れ電流密度 ,  紫外可視分光法 ,  *アニーリング温度 ,  石英基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高k HfAlO_xゲート誘電体 ,  ゾル-ゲル ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  漏れ電流輸送機構

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： アニーリング温度 ,  変調光 ,  電気的性質 ,  ゾル-ゲル処理 ,  ゲート誘電体 ,  漏れ電流 ,  輸送