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J-GLOBAL ID：201702270932310487   整理番号：17A0442879

温度勾配溶液成長法によるZnTe結晶の成長中の輸送現象【Powered by NICT】

The transport phenomena during the growth of ZnTe crystal by the temperature gradient solution growth technique

著者 (10件)： Yin Liying (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Yin Liying (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, China) ,  Jie Wanqi (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Jie Wanqi (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, China) ,  Wang Tao (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Wang Tao (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, China) ,  Zhou Boru (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Zhou Boru (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, China) ,  Yang Fan (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Yang Fan (Key Laboratory of Radiation Detection Materials and Devices, Ministry of Industry and Information Technology, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 461  ページ： 16-24  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数値モデルは,温度勾配溶液成長(TGSG)法によるTeリッチ溶液からのZnTe結晶の成長中の温度場,熱溶質対流,溶質偏析と成長界面形態をシミュレートするために開発される。輸送現象,成長界面形態と成長速度に及ぼす温度勾配の影響を調べた。輸送現象と成長界面上のZnTe結晶の潜熱及び熱伝導率の影響についても考察した。溶液中ZnTeの物質移動は,低拡散係数と溶液の下部における混合の欠如のために非常に遅いことが分かった。成長の間,高い密度と低い成長温度と希薄溶液は成長界面の中心領域に蓄積し,成長界面変化を二の異なる部分に。内部は非常に凹面が,外側部分は比較的平坦である。成長界面の二つの部分の前の成長条件は異なっていた。インゴットの内部の結晶品質が外側部分のそれより悪いことが予測された。高温度勾配は成長速度を有意に増加させると,ある程度拡散律速成長を避けることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 成長速度 ,  *輸送現象 ,  拡散律速 ,  拡散係数 ,  *溶液成長 ,  高温 ,  偏析 ,  *テルル化亜鉛 ,  インゴット ,  熱伝導率 ,  界面 ,  物質移動 ,  溶質 ,  *温度勾配
準シソーラス用語： 数値モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A2単結晶成長 ,  A2高温溶液からの成長 ,  A1計算機シミュレーション ,  A1物質移動 ,  B2半導性II-VI材料 ,  B3テラヘルツデバイス

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 温度勾配 ,  溶液成長 ,  ZnTe ,  結晶 ,  成長 ,  輸送現象