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J-GLOBAL ID：201702271255253464   整理番号：17A0830906

埋込みゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの性能に及ぼす水酸化テトラメチルアンモニウム処理の影響【Powered by NICT】

The effects of tetramethylammonium hydroxide treatment on the performance of recessed-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors

著者 (14件)： Do Jae-Won (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Jung Hyun-Wook (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Shin Min Jeong (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Ahn Ho-Kyun (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Kim Haecheon (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Kim Ryun-Hwi (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Cho Kyu Jun (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Chang Sung-Jae (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Min Byoung-Gue (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Yoon Hyung Sup (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Kim Ji-Heon (Agency for Defense Development, Daejeon 34186, Republic of Korea) ,  Yang Jin-Mo (Agency for Defense Development, Daejeon 34186, Republic of Korea) ,  Lee Jung-Hee (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Lim Jong-Won (Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 628  ページ： 31-35  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,ゲートリセスプロセスとゲート金属堆積前に水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を用いた表面処理を用いて作製した。電気的キャラクタリゼーションは,改善された外因性相互コンダクタンスと飽和電流,並びに3.5の因子とTMAH処理による素子における4.2の因子によるゲート漏れ電流減少しオフ電流とより均一なオフ状態挙動を示した。原子間力顕微鏡,透過型電子顕微鏡,およびX線光電子分光法に基づく解析はTMAH処理はリセスエッチしたAlGaN表面の粗さを効果的に減少し,AlGaN表面上の自然酸化物層を除去し,改善された可制御性と均一性を有するAlGaN/GaNヘテロ構造に基づくゲートリセスH EMTの製造に向けた簡単で実行可能な方法を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *HEMT ,  アルミニウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  相互コンダクタンス ,  X線光電子スペクトル ,  X線光電子分光法 ,  表面処理 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  自然酸化物 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  ゲート漏れ電流 ,  飽和電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アルミニウム窒化ガリウム ,  窒化ガリウム ,  高電子移動度トランジスタ ,  表面処理 ,  水酸化テトラメチルアンモニウム ,  ゲートリセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： TMAH

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋込み ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  水酸化テトラメチルアンモニウム