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J-GLOBAL ID：201702271404651456   整理番号：17A0411813

多結晶シリコンインゴット凝固中の結合した結晶化と炭素偏析の3次元数値的研究【Powered by NICT】

3D numerical study of coupled crystallization and carbon segregation during multi-crystalline silicon ingot solidification

著者 (6件)： Ansari Dezfoli Amir Reza (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Hwang Weng-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Shukur Anmar Khalid (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Augusto James (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Huang Yu Shan (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Tzeng ShiKai (Motech Industries Inc., Science Park Branch, Tainan, Taiwan, ROC)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 59  ページ： 76-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンインゴットの凝固の際,炭素濃度は最終シリコン微細構造に関して重要な役割を果たす可能性がある。炭素濃度は溶解度限界を通過した場合,SiC粒子が析出し,結晶粒構造は柱状から等軸粒に変化可能である。,炭素原子は凝固中のこれらの等軸粒,液体ケイ素内の炭素濃度を減少させる可能性がある内部に限定されると,等軸結晶粒が再び柱状になった。,凝固と炭素濃度の両方がお互いに影響を与えるであろう。3Dマルチスケールモデルは,鋳造プロセス中の炭素濃度と結合した多結晶シリコン(mc Si)インゴットのミクロ組織の変化をシミュレートするために開発される。微細構造モデルは核形成と結晶成長のシミュレーションに基づいている。シリコン坩堝相互作用による核形成のモデル化に加えて,本モデルでは凝固中の炭素偏析による平面ファセット界面より先に観測した等軸粒の発生を成功裡に表現できた。添加では,結合濃度と結晶化により,柱状等軸成長し,等軸から柱状成長への遷移をモデル化した。このモデルを評価するために,著者らのモデルと実験データにより得られたmc-Siインゴットの微細構造の間のいくつかの比較。これらの比較は,著者らのモデルと実験データの間の良い一致を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデリング ,  *炭素 ,  *ケイ素 ,  溶解度 ,  *インゴット ,  ファセット ,  *偏析 ,  坩堝 ,  炭化ケイ素 ,  *凝固 ,  界面 ,  核形成 ,  *三次元 ,  結晶粒 ,  *ポリシリコン

著者キーワード (6件)： 微細構造進化 ,  核形成 ,  結晶粒成長 ,  炭素濃度 ,  多結晶シリコンインゴット ,  等軸成長

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 多結晶シリコン ,  インゴット ,  凝固 ,  結晶化 ,  炭素 ,  偏析 ,  3次元 ,  数値 ,  研究