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J-GLOBAL ID：201702271486899063   整理番号：17A0445138

急速熱アニーリングを用いたH不動態化した窒素とリンを同時ドープしたZnO薄膜における可逆的p型伝導率【Powered by NICT】

Reversible p-type conductivity in H passivated nitrogen and phosphorous codoped ZnO thin films using rapid thermal annealing

著者 (4件)： Mannam Ramanjaneyulu (Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre and Materials Science Research Centre, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Kumar E. Senthil (SRM Research Institute, Department of Physics and Nanotechnology, SRM University, Kattankulathur 603203, Tamil Nadu, India) ,  DasGupta Nandita (Microelectronics and MEMS Laboratory, Electrical Engineering Department, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India) ,  Ramachandra Rao M.S. (Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre and Materials Science Research Centre, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 312-317  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速熱処理プロセスを用いたパルスレーザ蒸着した(P, N)を同時ドープしたZnO薄膜の可逆的p型特性を実証した。成長したままの薄膜は,120日間のn型からpへのからの伝導率の変化を示した。アニールなしn型薄膜を水素と炭素のような意図しないドナー不純物を含んでいた。X線光電子分光法とRaman測定は,水素がNH複合体を形成することにより窒素アクセプタを不動態化することを明白に示した。炭素は600°Cでのアニールが可能であるが,NH複合体の解離は800°Cで起こった。薄膜は800°Cのアニーリング温度でp型性質を戻すCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *不動態化 ,  アクセプタ ,  焼なまし ,  *窒素 ,  水素 ,  *リン ,  X線光電子分光法 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *RTA【熱処理】 ,  炭素 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  *伝導率 ,  *ZnOフィルム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化亜鉛 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  光学的性質 ,  電気輸送

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 急速熱アニーリング ,  不動態化 ,  窒素 ,  リン ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  P型伝導