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J-GLOBAL ID：201702271561489809   整理番号：17A0353918

マグネトロンスパッタリングによる四元炭素膜の調製のための効率的CIGS電池の研究【JST・京大機械翻訳】

STUDY OF Cu(ln,Ga)Se_2 SOLAR CELL WITH 17.5% EFFICIENCY ACHIEVED BY SPUTTERING A QUATERNARY TARGET

著者 (6件)： Ouyang Liangqi (Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education,School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University) ,  Zhuang Darning (Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education,School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University) ,  Zhang Ning (Beijing Sifang Crenergy Optoelectronics Technology Co., Ltd.) ,  Liu Yuandong (Beijing Sifang Crenergy Optoelectronics Technology Co., Ltd.) ,  Zhao Ming (Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education,School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University) ,  Yu Xinping (Beijing Sifang Crenergy Optoelectronics Technology Co., Ltd.)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 37  号： 11  ページ： 2994-2998  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリング法を用いて,CUIN_(1-X)GA_XSE_2,CIGS)の四成分系を調製し,吸収層のサイズと電池性能に及ぼすセレン化時間(H_2SE)濃度の影響を研究した。その結果,H_2SE濃度が1%から5%に増加すると,H_2SE濃度が増加すると,吸収層のサイズは増加し,キャリアの中心としての粒界欠陥が減少し,電池の開路電圧と短絡電流が増加し,最終的に電池効率が向上することがわかった。H_2SE濃度が5%から10%に増加すると,結晶粒サイズはさらに増加したが,表面のバンドギャップの低下は表面のバンドギャップを低下させ,電池の開路電圧をさらに増加させなかった。表面層と底部のバンドギャップは吸収層の内部のU型バンド構造よりも高い。硫化処理の後,電池の平均開路電圧は539MVから619MVに増加し,電池の平均効率は14.1%から15.9%に増加した。最高効率は17.5%の電池を得るために制備減_2を添加した後に得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *電池 ,  表層 ,  短絡電流 ,  バンド構造 ,  キャリア ,  *マグネトロンスパッタリング ,  結晶粒径 ,  硫化 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  電池性能 ,  四成分系 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 ,  *炭素膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cu(In ,  Ga)Se_2 ,  sputtering ,  solar cell ,  target ,  efficiency

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  炭素膜 ,  調製 ,  CIGS ,  電池 ,  研究