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J-GLOBAL ID：201702271924350261   整理番号：17A0449182

新しいIV族合金GePbのバンド構造と光学利得:第一原理計算【Powered by NICT】

The band structure and optical gain of a new IV-group alloy GePb: A first-principles calculation

著者 (4件)： Huang Wenqi (School of Applied Science, Beijing Information Science &Technology University, Beijing, 100101, China) ,  Cheng Buwen (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Beijing, 100083, China) ,  Xue Chunlai (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Beijing, 100083, China) ,  Yang Hong (School of Applied Science, Beijing Information Science &Technology University, Beijing, 100101, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 701  ページ： 816-821  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接バンドギャップを有することが予測されている新しいSiベース材料GePbは最近Siベース光源を作製の分野で非常に注目されている。バンド構造と発光効率を精密に研究するには,DFT+U法とスーパーセルモデルと組み合わせた第一原理計算を採用した。無歪GePbでは,間接直接バンドギャップからそれを変化Pb濃度の計算交差値は3.4%と評価され,これはGeSnのそれよりもはるかに低かった。一方,その最大光学利得はGeSnのそれよりはるかに高く,これはGePbはSiベースレーザを作製するための良好な選択であることができた。Pbの直接バンドギャップGePbの必要性を低減するために,Pb合金化と(111)二軸歪の影響下でのバンド構造と光学利得を計算した。結果は,PbのGePbの必要性は,1.13%の圧縮歪みを用いて2.1%に低減でき,中程度の歪強度はその光学利得を改善するために有益であることを示した。これは,これら二つの方法の組み合わせは,GePbのバンド構造と光学利得を調整するためのより良い方法である可能性がある。(111)Geバッファ層上に成長させた圧縮歪GePbを目指して,完全に歪んだGePbのバンド構造と光学利得を計算した。Pbの計算されたクロスオーバー値は2.7%であり,GePbの光学利得は,Pb濃度の増加と共に増加した。これは,(111)Geバッファ上にGePbを成長させるだけでなくPbの必要性を減らすことができるが,その発光効率を改善することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 合金 ,  *鉛 ,  *バンド構造 ,  *ゲルマニウム ,  光源 ,  鉛合金 ,  バッファ層
準シソーラス用語： クロスオーバー ,  圧縮歪 ,  二軸ひずみ ,  DFT+U ,  発光効率 ,  直接バンドギャップ ,  *第一原理計算 ,  *光利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GePb合金 ,  バンド構造 ,  光学利得 ,  二軸歪

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  バンド構造 ,  光学利得 ,  第一原理計算