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J-GLOBAL ID：201702272012896111   整理番号：17A0118289

放射環境での絶縁物上のSiCオンチップフォトニックセンサ【Powered by NICT】

SiC-on-insulator on-chip photonic sensor in a radiative environment

著者 (7件)： Ma Danhao (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Han Zhaohong (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Du Qingyang (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Hu Juejun (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Kimerling Lionel (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Agarwal Anu (Department of Materials Science & Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Tan Dawn T. H. (Photonics Devices and Systems Group, Singapore, University of Technology and Design, Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素は,高屈折率,大きなバンドギャップ,CMOS互換性,優れた化学的,機械的および熱的性質を有し,従って,有害環境におけるオンチップフォトニックセンサのための理想的な材料である。設計,作製と化学センシングのための絶縁物上のSiCフォトニックデバイスの評価だけでなくデバイス性能と感度に及ぼすガンマ線照射効果を検討した。絶縁物上のSiCデバイスは近赤外波長での18,000の品質因子を示し,高線量ガンマ線照射の後でも高いQ値を維持する。絶縁物上のSiCセンサのN methyaniline薬剤感受性に及ぼすガンマ線照射の影響を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 互換性 ,  薬剤感受性 ,  γ線照射 ,  *炭化ケイ素 ,  近赤外線 ,  Q値 ,  熱特性 ,  波長 ,  バンドギャップ ,  *センサ ,  *絶縁材料 ,  CMOS ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 品質因子 ,  フォトニックデバイス ,  高屈折率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射 ,  環境 ,  絶縁物 ,  SiC