文献

J-GLOBAL ID：201702272077100509   整理番号：17A0343850

テラヘルツ分光法による半絶縁GaAsの光-電気特性とキャリア動力学【Powered by NICT】

Optical-Electrical Characteristics and Carrier Dynamics of Semi-Insulation GaAs by Terahertz Spectroscopic Technique

著者 (6件)： Han Xiaowei (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology) ,  Hou Lei (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology) ,  Yang Lei (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology) ,  Wang Zhiquan (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology) ,  Zhao Mengmeng (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology) ,  Shi Wei (Department of Applied Physics, Xi’an University of Technology)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 120701-1-120701-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsは,その優れた性能により光電子デバイスを製造するために広く応用されており,その電気的および光学的性質を正確に測定するために非常に重要である。本研究では,半絶縁性(SI)GaAsウエハをテラヘルツ(THz)非破壊試験技術によって研究した。空気バイアスコヒーレント発生と検出THz時間領域分光システムを用いて,SI-GaAsのTHz時間領域波形とスペクトルをタイムドメイン分光法モジュールにより得られ,複素屈折率,誘電率と誘電損失角を含むその光学-電気的特性を計算した。そのキャリア寿命は光ポンプTHzプローブモジュールで測定し,光励起半絶縁性GaAsのTHzパルスに誘起されたバレー間散乱を考察した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  誘電率 ,  *テラヘルツ波 ,  光ポンピング ,  誘電損失 ,  非破壊検査 ,  *ヒ化ガリウム ,  タイムドメイン分光法 ,  *スペクトロスコピー ,  複素屈折率
準シソーラス用語： 時間領域 ,  光電子デバイス ,  *キャリア動力学 ,  *半絶縁性 ,  *テラヘルツ分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ分光法 ,  半絶縁 ,  GaAs ,  電気特性 ,  キャリア動力学