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J-GLOBAL ID：201702272193992505   整理番号：17A0325538

MgZnOバッファ層を挿入することによる量子ドット/ZnO界面におけるPbSコロイド量子ドット太陽電池における電荷再結合の低減【Powered by NICT】

Reduction of charge recombination in PbS colloidal quantum dot solar cells at the quantum dot/ZnO interface by inserting a MgZnO buffer layer

著者 (2件)： Zhang Xiaoliang (Department of Chemistry-Ångstroem, Physical Chemistry, Uppsala University, 75120 Uppsala, Sweden. [e-mail]) ,  Johansson Erik M. J.
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 1  ページ： 303-310  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コロイド量子ドット(CQD)固体とCQD太陽電池における電子収集層(ECL)の間の界面で起こる界面電荷再結合は,電荷キャリア収集に大きく影響する,従ってデバイスの光起電力性能を制限している。本研究では改良された性能を持つCQD太陽電池は,界面電荷再結合を低減し,したがって太陽電池の光起電力性能を改善するために太陽電池の調整可能な電子エネルギー準位を持つバッファ層(BL)としてMgZnOを用いて報告した。太陽電池の性能に及ぼすBLの効果を実験的に調べ,理論的計算と比較した。太陽電池におけるCQD層を持つ適切なバンド整列を形成する良好な電子エネルギー準位とBLの取込は,界面電荷再結合を減少させると増加した光起電力を得ることができた。BLをもつCQD太陽電池は,9.3%までの電力変換効率を示し,BLなしに太陽電池で8.2%のそれと比較した。非密封太陽電池は,暗所と連続照明下で両雰囲気条件下ではむしろ安定であった。エネルギー準位可同調性を有するMgZnO BLは,CQD光起電素子の界面特性を改善するための潜在的な戦略を提供することを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光起電力 ,  *界面 ,  *バッファ層 ,  電子状態 ,  *硫化鉛 ,  *太陽電池 ,  *量子ドット ,  *コロイド ,  エネルギー準位 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 界面特性 ,  電力変換効率 ,  電荷キャリア ,  *電荷再結合 ,  *量子ドット太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (8件)： バッファ層 ,  量子ドット ,  ZnO ,  界面 ,  PbS ,  コロイド ,  量子ドット太陽電池 ,  電荷再結合