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J-GLOBAL ID：201702272527340344   整理番号：17A0067747

KAバンドギャップにおける低雑音増幅器【JST・京大機械翻訳】

Ka-band Monolithic Self-bias Low Noise Amplifier

著者 (3件)： Gao Xingzhen (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Shuang (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  Sun Xiaowei (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 4  ページ： 289-292  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,0.15ΜM PHEMTプロセスに基づくKAバンド自己バイアス低雑音増幅器(LNA)を紹介した。この低雑音増幅器は四段カスケードの回路構造を採用し、前二段はソースインダクタンスの負帰還を採用して同時に良好な入力定在波とノイズを獲得した。抵抗技術を採用し,単一電源を供給し,使いやすい。低雑音増幅器は26~40GHZの周波数範囲で22DB±1DBの利得と3DB以上の雑音を持っている。36GHZでの雑音は2.5DB以上であった。チップサイズは2.0MM×1.0MM×0.1MMであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数 ,  *低雑音増幅器 ,  負帰還 ,  利得 ,  定在波 ,  *雑音 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： チップサイズ ,  回路構成 ,  自己バイアス ,  PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) ,  Ka band ,  low noise amplifier(LNA) ,  self-bias ,  monolithic microwave integrated circiuit(MMIC)

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： Kaバンド ,  ギャップ ,  低雑音増幅器