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J-GLOBAL ID：201702272686217697   整理番号：17A0755410

電荷トラップトランジスタ(CTT):高k金属ゲートCMOS技術のための埋め込まれた完全ロジックコンパチ多重時間プログラマブル不揮発性メモリ要素【Powered by NICT】

Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies

著者 (4件)： Khan Faraz (Electrical Engineering Department, Center for Heterogeneous Integration and Performance Scaling (CHIPS), University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  Cartier Eduard (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Woo Jason C. S. (Electrical Engineering Department, Center for Heterogeneous Integration and Performance Scaling (CHIPS), University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, USA) ,  Iyer Subramanian S. (Electrical Engineering Department, Center for Heterogeneous Integration and Performance Scaling (CHIPS), University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 44-47  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端的高k-金属ゲートCMOS技術ノードのためのオンチップ不揮発性メモリの利用可能性は,統合とスケーリング課題だけでなく,動作電圧の不一致により制限されてきたが,その必要性は,現代の高性能システムにおける急速に成長し続けている。作製したとして高k-金属ゲート論理素子における固有デバイス自己加熱により増大する電荷トラッピングを利用して,高k-金属ゲートCMOS技術のためのユニークな多重時間プログラマブルに埋め込まれた不揮発性メモリ要素,電荷トラップトランジスタ」(CTT)と呼ばれる,を導入した。CTTメモリデバイスを用いての機能性と実現可能性を22nm平面と14nm FinFET技術プラットフォーム,完全に機能的な製品プロトタイプメモリアレイを含む実証されている。これらトランジスタメモリ素子は高密度( 0.144μm~22nmと 0.082μmの2ビット~14nm技術のための2ビット),論理電圧適合と低ピークパワー動作(~4mW),及び添加プロセスの複雑さまたはマスクを用いない完全統合で拡張性のある埋込み不揮発性メモリのための優れた保持を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  *トランジスタ ,  記憶装置 ,  *多重化 ,  高速度 ,  *不揮発性メモリ ,  電圧 ,  論理素子
準シソーラス用語： 高密度 ,  FinFET ,  自己加熱 ,  オンチップ ,  *CMOS技術 ,  *メタルゲート ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電荷トラップ ,  トランジスタ ,  CTT ,  金属ゲート ,  CMOS技術 ,  多重 ,  不揮発性メモリ ,  要素