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J-GLOBAL ID：201702272744747012   整理番号：17A0443961

応答曲面法を用いた無線周波数誘導加熱化学蒸着系におけるZrC被覆の合成の最適化【Powered by NICT】

Optimisation of the synthesis of ZrC coatings in a radio frequency induction-heating chemical vapour deposition system using response surface methodology

著者 (8件)： Biira S (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Biira S (Department of Physics, Busitema University, PO Box 236, Tororo, Uganda) ,  Crouse PL (Department of Chemical Engineering, University of Pretoria, 0002, South Africa) ,  Bissett H (Applied Chemistry Division, South African Nuclear Energy Corporation (Necsa), PO Box 582, Pretoria 0001, South Africa) ,  Alawad BAB (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Hlatshwayo TT (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Nel JT (Applied Chemistry Division, South African Nuclear Energy Corporation (Necsa), PO Box 582, Pretoria 0001, South Africa) ,  Malherbe JB (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 61-69  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気圧におけるラジオ周波数誘導加熱を用いた化学蒸着プロセスはZrC皮膜の堆積のために開発した。このプロセスで利用される前駆体は,それぞれ,過剰水素のジルコニウムおよび炭素源として四塩化ジルコニウムおよびメタンであった。さらに,アルゴンの流れは,第一に,反応器から酸素を除去し,その後反応室に300°Cで蒸発ZrCl_4を掃引するのに使用した。ZrC皮膜は1200~1600°Cの範囲の基板温度でグラファイト基板上に堆積した。CH_4/ZrCl_4のモル比を6.04から24.44まで変化させた。蒸着過程の開始前に,大気圧でのZrCの成長のための熱力学的実現可能性解析も行った。応答曲面法を用いてZrC皮膜の蒸着のためのプロセスパラメータを最適化した。中心複合設計を用いて,成長速度に及ぼす温度とモル比CH_4/ZrCl_4,C/Zrの原子比とZrC皮膜の結晶サイズの影響を調べることであった。成長速度と結晶サイズのための二次統計的モデルを確立した。C/Zrの原子比は線形傾向を示した。は基板温度とCH_4/ZrCl_4比の増加は,ZrC被覆の成長速度増加をもたらすことが分かった。堆積させたコーティングにおける炭素含有量(,同時にC/Zrの原子比)は,温度とモル比CH_4/ZrCl_4のと共に増加した。1353.3°Cの基板温度と10.41のCH_4/ZrCl_4モル比は化学量論組成に近いZrC皮膜の最適条件として決定した。値は,それぞれC/Zr原子百分率比,成長速度及び平均結晶子寸法の1.03年,6.05μm/hおよび29.8nmであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱力学 ,  皮膜 ,  *誘導加熱 ,  *最適化 ,  プロセスパラメータ ,  酸素 ,  モル比 ,  ジルコニウム ,  アルゴン ,  *応答曲面法 ,  最適条件 ,  成長速度 ,  基板温度 ,  アルカン
準シソーラス用語： 原子比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： 炭化ジルコニウム ,  化学蒸着 ,  基板温度 ,  メタン ,  塩化ジルコニウム ,  応答表面モデル ,  成長速度 ,  結晶サイズ ,  エネルギー分散型X線分光法

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 応答曲面法 ,  無線周波数 ,  誘導加熱 ,  化学蒸着 ,  最適化