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J-GLOBAL ID：201702272953854377   整理番号：17A0143832

TMICのためのGaN上の低抵抗率シリコン基板上のテラヘルツマイクロストリップ上昇スタックアンテナ技術【Powered by NICT】

Terahertz microstrip elevated stack antenna technology on GaN-on-low resistivity silicon substrates for TMIC

著者 (7件)： Benakaprasad B. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Eblabla A. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Li X. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Elgaid K. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Wallis D.J. (Cambridge Centre for GaN, University of Cambridge, Cambridge, U.K.) ,  Guiney I. (Cambridge Centre for GaN, University of Cambridge, Cambridge, U.K.) ,  Humphreys C. (Cambridge Centre for GaN, University of Cambridge, Cambridge, U.K.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 413-416  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaN上の低抵抗率シリコン基板(ρ<40 Ω.cm)のTHzマイクロストリップ積層アンテナを実証した。基板による損失を低減するために,THz周波数で集積アンテナの性能を向上させるために,駆動されたパッチは,ベンゾシクロブテン(BCB)の層に加えて窒化けい素と金によって遮蔽された。第二円形パッチは金ポストを用いて空気で上昇し,この設計スタック配置にした。実証したアンテナは,0.27THzにおけるモデリングと一致して測定した共鳴周波数を示し, 18dBの低い測定S11が得られた。指向性,利得と放射効率それぞれ8.3dB,3.4dB,32%は3次元EMモデルから示された。著者らの知る限りでは,これはTMIC(THzモノリシック集積回路)技術のための初めて実証THz集積マイクロストリップスタックアンテナである開発された技術である低抵抗/高誘電体基板上の高性能III-V材料に適している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  *マイクロストリップ線路 ,  三次元 ,  窒化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  指向性 ,  *アンテナ ,  半導体集積回路 ,  金 ,  *電気抵抗率 ,  利得 ,  モデリング ,  放射効率
準シソーラス用語： 積層 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  低抵抗 ,  シリコン基板 ,  スタック ,  アンテナ