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J-GLOBAL ID:201702273125778150   整理番号:17A0759388

希金属を含まない化合物半導体ZnSnP_2のバルク結晶を用いた太陽電池【Powered by NICT】

Solar cells using bulk crystals of rare metal-free compound semiconductor ZnSnP2
著者 (5件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600650  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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溶液成長により得られたZnSnP_2のバルク結晶を用いた太陽電池の電流密度-電圧(J V)特性,Snを溶媒として用いたについて報告した。ZnSnP_2のバルク結晶における速い成分と遅い成分の少数キャリア寿命は0.442nsと37.8nsであり,0.5mm~2のビーム面積5.05mWの励起パワーでの時間分解光ルミネセンス(TRPL)における二重指数関数を用いた解析により得られた。寿命はCIGSの場合,16%以上の変換効率を達成するために,高いに近かった。TRPLも速い成分の強度は遅い成分のそれよりはるかに大きいため,表面での再結合が支配的であることを明らかにした。良く知られた構造Al/AlドープZnO/ZnO/CdS/ZnSnP_2/Mo太陽電池を採用した。短絡電流密度と開回路電圧は1.99mA cm~ 2と0.172Vであった。外部量子効率の吸収端の波長はZnSnP_2のバンドギャップと一致した。しかし,変換効率は0.087%であった。J-V曲線は,バルクZnSnP_2の抵抗率から期待される値よりも高いので,直列抵抗の削減が求められていることを示唆した。伝導帯オフセットの改善は,著者らの以前の研究から考える必要がある。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 
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