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J-GLOBAL ID：201702273204637625   整理番号：17A0388743

窒素プロファイル制御されたZnO Schottky接触を用いたグラフェンbarristor【Powered by NICT】

A graphene barristor using nitrogen profile controlled ZnO Schottky contacts

著者 (10件)： Hwang Hyeon Jun (Center for Emerging Electric Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 500-712, Korea. [e-mail]) ,  Chang Kyoung Eun ,  Yoo Won Beom ,  Shim Chang Hoo ,  Lee Sang Kyung ,  Yang Jin Ho ,  Kim So-Young ,  Lee Yongsu ,  Cho Chunhum ,  Lee Byoung Hun
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 7  ページ： 2442-2448  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-ZnO:N Schottky barristorの実証に成功した。グラフェンとZnO:Nの間の障壁高さは0.5 0.73eVの範囲における埋込みゲート電極により調節でき,10~7までのオン-オフ比が達成された。Schottky接触材料としての窒素ドープZnO膜を用いて,以前に報告されたグラフェンbarristorsの安定性問題が大幅に軽減することができ,トップダウン加工グラフェンbarristorを構築するための容易な経路は,非常に低い熱サイクルを実現した。このデバイスは軟質基板上のバックエンド集積論理素子または可撓性デバイスのような低温作製プロセスを用いて作製した高性能論理素子を必要とするシステムにおける論理関数を実行するときに役立つであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱サイクル ,  *酸化亜鉛 ,  柔軟性 ,  *グラフェン ,  低温 ,  論理素子 ,  論理関数 ,  *窒素
準シソーラス用語： 軟質 ,  トップダウン ,  窒素ドーピング ,  *Schottky接触 ,  ゲート電極 ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  プロファイル ,  ZnO ,  Schottky接触 ,  グラフェン