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J-GLOBAL ID：201702273246527844   整理番号：17A0697726

エピタキシャルBi(111)膜の電子バンド構造の吸着種に誘起された改質【Powered by NICT】

Adsorbate-induced modification of electronic band structure of epitaxial Bi(111) films

著者 (11件)： Matetskiy A.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Bondarenko L.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Tupchaya A.Y. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Gruznev D.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Eremeev S.V. (Institute of Strength Physics and Materials Science, 634021 Tomsk, Russia) ,  Eremeev S.V. (Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia) ,  Zotov A.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Zotov A.V. (School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, 690950 Vladivostok, Russia) ,  Zotov A.V. (Department of Electronics, Vladivostok State University of Economics and Service, 690600 Vladivostok, Russia) ,  Saranin A.A. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 5 Radio Street, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Saranin A.A. (School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, 690950 Vladivostok, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 406  ページ： 122-127  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cs及びSn吸着によって誘起したSi(111)上のBi(111)膜の電子バンド構造の変化を角度分解光電子放出分光法と密度汎関数理論計算を用いて研究した。吸着原子ガスの形で表面で示す時に少量のCsが表面と量子井戸状態のシフトBi膜に吸着質からの電子供与により高い結合エネルギーをもたらすことが分かった。対照的に,吸着したSnは加熱によりBi膜バルクに溶解し,アクセプタドーパント,より低い結合エネルギーに向かって表面と量子井戸状態のシフトをもたらすことをとして作用する。これらの結果は,Bi薄膜電子バンド構造前向きスピントロニクス応用のための信頼すべき根拠を吸着質で誘起されBiをFermi準位での単一スピンチャネルを持つある種の伝導率(電子または正孔)を達成するために可能にする操作への道を開いた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子井戸 ,  *吸着 ,  スピントロニクス ,  光電子放出 ,  *エピタクシー ,  セシウム ,  Fermi準位 ,  *ビスマス ,  結合エネルギー ,  スズ ,  正孔
準シソーラス用語： 吸着質 ,  吸着原子 ,  *電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子光電子放出 ,  ビスマス超薄膜 ,  スピン分裂 ,  Rashba効果

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  Bi ,  電子バンド構造 ,  吸着種 ,  誘起 ,  改質