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J-GLOBAL ID：201702273269365048   整理番号：17A0758063

150mm SiC基板上に作製した1200V SiCプレーナMOSFETの性能と信頼性【Powered by NICT】

Performance and reliability of 1200V SiC planar MOSFETs fabricated on 150mm SiC substrates

著者 (6件)： Powell B. (Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664) ,  Matocha K. (Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664) ,  Chowdhury S. (Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664) ,  Rangaswamy K. (Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664) ,  Hundley C. (Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664) ,  Gant L. (Monolith Semiconductor Inc., Round Rock, Texas 78664)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 158-161  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高容量150mm Si CMOSファウンドリで製造された1200V SiC DMOSFETの性能と信頼性を実証した。これらDMOSFETはしきい値電圧の10%シフト以下と175°Cで高温ストレス試験後の絶縁破壊特性の実際的に変化のないを示した。非常に大面積6.30×9.45mm~2 11mΩSiC DMOSFETの性能はデバイスのスケーリングは一般的なプロセスが可能であることを証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  暑熱ストレス ,  *炭化ケイ素 ,  CMOS ,  絶縁破壊 ,  *MOSFET ,  大面積 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： シリコンファンドリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC基板 ,  作製 ,  SiC ,  プレーナ ,  MOSFET