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J-GLOBAL ID:201702273279829546   整理番号:17A0318994

触媒なしのSi蒸気浸透過程におけるSiC繊維のその場成長と特性評価【Powered by NICT】

In-situ growth and characterization of SiC fibers during Si vapor infiltration process without catalysis
著者 (7件):
資料名:
巻: 42  号: 13  ページ: 15107-15112  発行年: 2016年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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SiC繊維は,窒素雰囲気中で4時間1700°Cで触媒なしでSi蒸着による反応焼結SiC基板の表面上に合成した。SiC繊維は走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡とX線回折によって特性化した。結果は,繊維がβ-SiC構造を持ち,その直径は数百ナノメータであることを示した。SiC繊維の長さは~1.5 3~2.0mmであり,その成長方向は[111]である。成長機構の研究は,SiC繊維は気相-固相(VS)成長プロセスを介して成長することを示す。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 

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