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J-GLOBAL ID：201702273299896070   整理番号：17A0214186

三次元積層CMOS技術による7.83μmピッチの裏面照射されたSPADイメージセンサ【Powered by NICT】

Backside illuminated SPAD image sensor with 7.83μm pitch in 3D-stacked CMOS technology

著者 (6件)： Abbas T. Al (School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburgh, UK) ,  Dutton N. A. W. (Imaging Division, STMicroelectronics, Edinburgh, UK) ,  Almer O. (School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburgh, UK) ,  Pellegrini S. (Imaging Division, STMicroelectronics, Edinburgh, UK) ,  Henrion Y. (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Henderson R. K. (School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburgh, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 8.1.1-8.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一光子計数(SPC)強度,および時間分解イメージングの両方が可能な最初の3次元スタックされた裏面照射(BSI)単一光子アバランシェダイオード(SPAD)イメージセンサを提示した。128×120プロトタイプは,SPADイメージセンサについて報告されている最小ピクセル7.83μmの画素ピッチを持っていた。低電力,高密度40nm底部層は消光フロントエンドと処理エレクトロニクスをホスト画像に特異的な65nmトップ層はハイブリッド結合[1]1対1aと光検出器を含む。SPADは室温と1V過剰バイアスで200cps以下の中央値暗計数率(DCR)を示し,640nmと3Vで27.5%過剰バイアスのピーク光子検出確率(PDP)を持っていた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 画素 ,  消光 ,  光子 ,  電子技術 ,  バイアス ,  *イメージセンサ ,  プロトタイプ ,  *三次元
準シソーラス用語： 暗計数率 ,  高密度 ,  低電力化 ,  時間分解イメージング ,  単一光子計数 ,  *単一光子アバランシェダイオード ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS技術 ,  ピッチ ,  SPAD ,  イメージセンサ