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J-GLOBAL ID：201702273643114556   整理番号：17A0826056

Millerプラットフォーム電圧に基づく電力MOSFETのゲート酸化膜劣化のオンライン状態監視【Powered by NICT】

Online Condition Monitoring of Power MOSFET Gate Oxide Degradation Based on Miller Platform Voltage

著者 (5件)： Ye Xuerong (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Chen Cen (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Wang Yixing (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Zhai Guofu (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Vachtsevanos George J. (Georgia Institute of Technology, Atlanta GA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 6  ページ： 4776-4784  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーデバイスの状態監視問題は,スイッチモード電源(SMPS)システムの診断と予知のために重要である。電力MOSFETでは,ゲート酸化物の劣化は様々な応用でしばしば発生する。しかし,これまでゲート酸化物の劣化のためのオンライン状態監視方法ではない。本論文では,電力MOSFETゲート酸化膜劣化のオンライン状態モニタリングに使用することができる新しい前駆体を提案した。ゲート酸化物の劣化機構と効果を要約し,MOSFETのターンオンプロセスを解析した。,理論モデルはミラープラットフォーム電圧の間の関係と二種類のゲート酸化膜の欠陥を記述するために確立し,ミラープラットフォーム電圧は新しい前駆体として同定された。前駆体は系統運用に影響を与えずに抽出することができ,従ってオンライン状態監視が達成できる。加速劣化試験は,高電場とガンマ線照射法の両方を用いた電力MOSFETのための行い,ミラープラットフォーム電圧の劣化したデバイス注入とin situモニタリングは新しい前駆体の実現可能性を検証するためにブースト回路を行った。実験結果は,新しい前駆体は,SMPSシステム中のパワーMOSFETのゲート酸化膜劣化のオンライン状態監視に適用できることを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電圧 ,  γ線照射 ,  前駆体 ,  系統運用 ,  予測
準シソーラス用語： 加速劣化試験 ,  理論モデル ,  劣化機構 ,  ゲート酸化物 ,  パワーデバイス ,  *状態監視 ,  *オンライン ,  *ゲート酸化膜 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラットフォーム ,  電力MOSFET ,  ゲート酸化膜 ,  オンライン ,  状態監視