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J-GLOBAL ID：201702273661639090   整理番号：17A0650078

RCE-DR法を用いて成膜した,高J_CのGdBa₂Cu₃O_7-δ被覆導体のマイクロ波表面抵抗の深さプロファイル

Depth profiling of the microwave surface resistance of high-J_C GdBa₂Cu₃O_7-δ coated conductors grown using the RCE-DR process

著者 (8件)： YANG Woo II (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  JUNG Ho Sang (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jae-Hun (SuNAM Co., Ltd., Gyunggi-do, KOR) ,  LEE Hunju (SuNAM Co., Ltd., Gyunggi-do, KOR) ,  MOON Seung-Hyun (SuNAM Co., Ltd., Gyunggi-do, KOR) ,  LEE Jung-Woo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOO Sang-Im (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sang Young (Konkuk Univ., Seoul, KOR)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 29  号： 10  ページ： 105004,1-11  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,GdBa₂Cu₃O_7-δ(GdBCO)が,堆積・反応法による反応性共蒸着法(RCE-DR)という非常に高速な方法で成膜され,~1.4μm膜厚で77Kにおいて5.6MAcm^-2という高い臨界電流密度(J_c)が観測された。今日まで,厚いGdBCO膜の輸送特性の深さプロファイルを,Arイオンミリングや化学エッチングにより微細構造を改変せずに報告した例はほとんど無い。本研究では,RCE-DR法で成膜したGdBCO被覆導体(I_c>790MAcm^-1,77K)に関しマイクロ波表面抵抗(R_s)の深さプロファイルを調査した。R_s測定は,8.5GHz TE₀₀₁型ルチル共振器を用いて,10~80Kの温度で行った。R_sには厚さ方向に大きな不均一性があり,30Kにおける膜上部の値は下部の値の2倍程度に大きい。この原因は,GdBCO結晶粒と共存するGd₂O₃結晶粒の大きさの相違(上部では~150nm,下部では~100nm)と考えられる。

シソーラス用語： *同時蒸着 ,  *化学蒸着 ,  導体 ,  *被覆 ,  *酸化物 ,  *銅化合物 ,  *ガドリニウム化合物 ,  バリウム化合物 ,  *臨界電流密度 ,  *深さ分布 ,  *表面抵抗 ,  *マイクロ波 ,  粒径
準シソーラス用語： 反応性同時蒸着 ,  反応性蒸着 ,  マイクロ波表面抵抗

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成膜 ,  被覆導体 ,  マイクロ波 ,  表面抵抗 ,  深さプロファイル