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J-GLOBAL ID：201702273776342880   整理番号：17A0548464

InAs/GaAs(110)系におけるひずみ緩和と成長様式に関する理論検討

著者 (4件)： 伊藤智徳 (三重大 大学院) ,  海田諒 (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-313-11  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *基板 ,  *緩和現象 ,  *薄膜成長 ,  表面エネルギー ,  不整合転位 ,  結晶成長 ,  自由エネルギー ,  歪エネルギー ,  二次元成長 ,  *ヒ化ガリウム基板
準シソーラス用語： InAs ,  *GaAs基板 ,  *歪緩和 ,  ミスフィット転位 ,  島状成長

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  GaAs ,  系 ,  ひずみ緩和 ,  成長 ,  様式 ,  理論