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J-GLOBAL ID：201702273802773677   整理番号：17A0399714

バナジウムドープCd_0 9Mn_0 1Te結晶とその光学的および電子的性質【Powered by NICT】

Vanadium doped Cd_0.9Mn_0.1Te crystal and its optical and electronic properties

著者 (5件)： Luan Lijun (School of Material Science and Engineering, Chang’an University, Xi’an 710061, China) ,  Zhang Jianwen (School of Material Science and Engineering, Chang’an University, Xi’an 710061, China) ,  Wang Tao (School of Material Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Jie Wanqi (School of Material Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Liu Zongwen (School of Chemical and Biomolecular Engineering, The University of Sydney, NSW 2006, Australia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 124-128  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジウム(V)をドープしたCd_0 9Mn_0 1Te(CdMnTe:V)結晶を加速るつぼ回転法(ACRT)を備えた垂直Bridgman法により実施された過剰10at%Te溶液から1×10~17atoms/cm~3の名目上のバナジウム濃度で成長させた。成長直後の結晶は,インゴットの中央部から切断ウエハにおける4.123×10~1°Ωcmの高抵抗特性を示した。赤外顕微鏡像は,結晶中のTe包有物/析出物の面密度は1.4×10~3年の間に6×10~5cm~~ 2であることを示した。63%のインゴットの中央部で測定された最高IR透過は65%の理論限界に近い。,PLスペクトルは鋭い(D°, X)ピーク,フラットD_complexピークと低DAPピークを示した。(D°, X)ピークは4.36meVのFWHM,結晶化の高品質を示したが,平坦なD_complexピークはこのインゴットの中央部におけるCdの空孔と比較して非常に低い転位と欠陥を意味している。0.045のI_DAP/I(D°,X)の相対強度と低DAPピークはこの結晶における低不純物濃度を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 析出物 ,  *ドーピング ,  FWHM ,  インゴット ,  不純物濃度 ,  坩堝 ,  Bridgman法 ,  包有物 ,  *結晶 ,  *バナジウム ,  *カドミウム
準シソーラス用語： 高品質 ,  光ルミネセンススペクトル ,  面密度 ,  赤外顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1バナジウムドーピング ,  A1欠陥 ,  A2テルル溶液からの成長 ,  B2CdMnTe

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： バナジウム ,  ドープ ,  結晶 ,  光学 ,  電子 ,  性質