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J-GLOBAL ID：201702273830330851   整理番号：17A0026007

様々なDUV照射エネルギーに曝されたセルフアラインコプレーナートップゲートIn-Ga-ZnO薄膜トランジスタ

Self-Aligned Coplanar Top Gate In-Ga-ZnO Thin-Film Transistors Exposed to Various DUV Irradiation Energies

著者 (5件)： Ryu Seung-Man (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Kim Myoeng-Ho (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Jeon Sung-Ho (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Lim Jun-Hyung (Department of Display Research and Development Center, Samsung Display, Yongin, South Korea) ,  Choi Duck-Kyun (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 8  ページ： 3123-3127  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 185と254nmの様々な深紫外線(DUV)照射エネルギーで高濃度にドープしたソース/ドレイン(S/D)領域を持つ,セルフアラインコプレーナートップゲートインジウム-ガリウム-酸化亜鉛薄膜トランジスタ(TFT)を調べた。TFTの電気性能はDUV照射エネルギー増加につれて改善される。20J/cm²のDUV照射をした提案TFTは電界効果移動度22.0cm²/V・s,閾値電圧2.2V,サブ閾値スイング値0.24V/dec,オン/オフ電流比1.34×10⁶を持つ。さらに,チャネル長変調(AL)と幅規格化コンタクト抵抗(RSDW)はそれぞれ1.04μmと60.5Ω・cmである。このような短いALと低いRSDWは,S/D領域がDUV照射で正しく形成されていることを示している。この単純でコスト効率の良いドーピング技術はセルフアラインTFTの制作に有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 放射線効果 ,  *薄膜トランジスタ ,  論理回路 ,  論理素子 ,  比率 ,  焼なまし ,  電圧 ,  接触抵抗 ,  化合物半導体 ,  効果 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  自己整合 ,  キャリア移動度 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  アニーリング ,  セルフアライン ,  ロジックゲート ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  *紫外線照射効果 ,  照射効果 ,  伝導度 ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： エネルギー ,  Ga ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ