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J-GLOBAL ID：201702274607979001   整理番号：17A0705500

絶縁体厚さの最適化とAgナノワイヤの表面プラズモンを導入することによるp GaN/i Al-2O_3/n-ZnOヘテロ接合LEDからの増強された近紫外エレクトロルミネセンス【Powered by NICT】

Enhanced near-UV electroluminescence from p-GaN/i-Al₂O₃/n-ZnO heterojunction LEDs by optimizing the insulator thickness and introducing surface plasmons of Ag nanowires

著者 (8件)： Yang Liu (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology (Northeast Normal University), Ministry of Education, Changchun 130024, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Weizhen ,  Xu Haiyang ,  Ma Jiangang ,  Zhang Cen ,  Liu Chunyang ,  Wang Zhongqiang ,  Liu Yichun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 13  ページ： 3288-3295  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる誘電Al_2O_3厚さのp GaN/i Al_2O_3/n-ZnO(PIN)ヘテロ接合LEDは原子層堆積法により作製した。~12nmとi Al_2O_3層の厚さを最適化することにより,有効電子蓄積と正孔注入を同時にn-ZnO活性層で達成され,このPIN型LEDの大きく改良された近紫外エレクトロルミネセンス強度をもたらした。,表面プラズモン(SP)共鳴エネルギーはZnO紫外発光エネルギーに近く,Agナノワイヤを導入したLED構造への変化により,エレクトロルミネセンス強度は2.8倍~さらに増加した。時間分解および温度依存性分光解析はZnO活性層の自発的放射率と内部量子効率の両方は,ZnO励起子とAgナノワイヤSP間の共鳴結合,観察された近紫外エレクトロルミネセンス増大をもたらすの結果として増加することを明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  アルミニウム ,  *近紫外線 ,  活性層 ,  *表面プラズモン ,  温度依存性 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *最適化 ,  励起子 ,  *酸化亜鉛 ,  スペクトロスコピー ,  *銀 ,  共鳴 ,  発光 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 内部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (14件)： 絶縁体 ,  厚さ ,  最適化 ,  Ag ,  ナノワイヤ ,  表面プラズモン ,  GaN ,  Al ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  LED ,  増強 ,  近紫外 ,  エレクトロルミネセンス