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J-GLOBAL ID：201702274630348827   整理番号：17A0057890

高K/low K複合誘電体構造を持つ10kV垂直GaN PN接合ダイオード【Powered by NICT】

Over 10 kV vertical GaN p-n junction diodes with high-K/low-K compound dielectric structure

著者 (5件)： Du Jiangfeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, No.4, Section 2, North Jianshe Road, Chengdu, Sichuan, P.R. China) ,  Li Zhenchao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, No.4, Section 2, North Jianshe Road, Chengdu, Sichuan, P.R. China) ,  Liu Dong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, No.4, Section 2, North Jianshe Road, Chengdu, Sichuan, P.R. China) ,  Bai Zhiyuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, No.4, Section 2, North Jianshe Road, Chengdu, Sichuan, P.R. China) ,  Yu Qi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, No.4, Section 2, North Jianshe Road, Chengdu, Sichuan, P.R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 58-61  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高K/low K化合物誘電体構造(GaN CD VGD)を有する垂直GaN PN接合ダイオードを提案した。高K/low K化合物誘電体構造は,低い誘電率を持つ高い誘電率と多層誘電体層の層,電流方向に沿って形成されたこれらの化合物の誘電体層から構成されている。従来のp-nダイオードと比較して,周辺電場は高K不動態化の効果のために抑制される。新しい電場ピークはp-nダイオードに導入され,高Kと低K層の界面での電場の不連続性のためであろう。p-nダイオードにおける電場の分布はより均一になると破壊電圧の増強を達成することができた。最良のトレードオフ絶縁破壊電圧(BV)とオン抵抗(R_on)は誘電体層状況,長さと幅を含む装置パラメータを最適化することにより得られた。数値シミュレーションは10650VのBV及び5.83mΩcm~2のRonをもつGaN CD VGD,19GW/cm~2の性能指数(V_B~/_)をもたらすことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *接合ダイオード ,  トレードオフ ,  性能指数 ,  界面 ,  *誘電体 ,  オン抵抗 ,  *ダイオード ,  不連続性 ,  誘電率 ,  最適化 ,  電場 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 複合誘電体 ,  垂直 ,  GaN ,  PN接合 ,  ダイオード