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J-GLOBAL ID：201702274709176284   整理番号：17A0855766

Bi_0 0.85-xPr_0 15Dy_xFe_0 97Mn_0 0.03O_3薄膜の粒界と電気的性質【Powered by NICT】

Grain boundaries and electrical properties of Bi_0.85-xPr_0.15Dy_xFe_0.97Mn_0.03O₃ thin films

著者 (4件)： Yue Zhongwei (School of Materials Science and Engineering, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’an, Shaanxi 710021, China) ,  Tan Guoqiang (School of Materials Science and Engineering, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’an, Shaanxi 710021, China) ,  Ren Huijun (School of Materials Science and Engineering, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’an, Shaanxi 710021, China) ,  Xia Ao (School of Materials Science and Engineering, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’an, Shaanxi 710021, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 709  ページ： 549-556  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学溶液堆積経路はBi_0 0.85-xPr_0 15Dy_xFe_0 0.97Mn_0 0.03O_3(BPDy_xFMO,x=0~0.00,0.04 0.07)薄膜を調製した。構造と電気特性を調べた。ドープしたDy~3+イオンを用いて,共存する二相は初期三方晶R3c:H構造と正方晶P4構造から三方晶系R3cとR 3c:R構造。BPDy_xFMO薄膜の結晶粒サイズは結晶粒界抵抗の増加傾向を示している減少傾向を示した。一方,結晶粒界の抵抗は漏れ電流を遮断するため粒界抵抗と漏れ電流密度の間の逆の傾向が現れた。Bサイト置換Aサイトと1個の遷移金属イオンの代わりに複数の希土類イオンのために,BPDy_xFMO薄膜の強誘電性は劣化する。同時に,ferroelectrictiesと広がった分散スイッチング磁場熱処理される。これは主に増加は,結晶粒界と正に帯電した欠陥と負に帯電した欠陥から成る欠陥複合体の形成に起因する。しかし,より重要なことに,Dy~3+は磁性に正の効果を持つ。Bi_0 0.81Dy_0 0.04Pr_0 15Fe_0 0.97Mn_0 0.03O_3膜の飽和磁化は2.39emu/cm~3であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電性 ,  三方晶系 ,  磁性 ,  スイッチング ,  正方晶系 ,  *薄膜 ,  飽和磁化 ,  電気特性 ,  磁場熱処理 ,  結晶粒径 ,  *結晶粒界 ,  ドーピング ,  複合欠陥 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Bi_0 0.85-xPr_0 15Dy_xFe_0 97Mn_0 0.03O_3 ,  薄膜 ,  結晶粒界 ,  漏れ電流 ,  強誘電性 ,  Ferromagnetism

分類 (3件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  磁気的性質  (WB02020J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  粒界 ,  電気的性質